Xlinkvnc堡垒机介绍与安装使用
一、什么是XlinkvncXlinkvnc是一套基于docker+php+vnc+客户端实现的堡垒机系统，可以实现基于windows域控及SSH认证的linux桌面虚拟化系统。可以有效的解决研发接入过程中的数据安全管控及统一认证管理。二、Xlinkvnc有哪些功能1、统一认证，支持windowsAD及SSH认证模式2、快速部署、快速启动及快速重启的功能3、可针对企业研发实现接入管控及远...
Socrates安装和RTL生成安装配置手册
第一部分：简单介绍
Socrates是ARM家的IP generator GUI界面工具（类比Synopsys的coreConsultant），NIC400是一个IP（类比S家的PCIE or ETH）。个人推荐使用1.6.2或者1.7.1版本的socrates。安装程序里面有个文件夹thirdparty/ad_3p_tools里面带了python，perl，tcl，xalan，xe...
Catapult2023.1安装配置手册
第一部分：安装介质传输到系统、安装（验证环境centos7.9）使用FTP 、rsync、scp等方式，拷贝Catapult到centos7.6以上的操作系统。注意不要使用nfs，因为mentor有 2的32次幂问题，所以可能如果NAS容量大会安装失败。最好是本地产品安装，然后mv到NAS里Chmod 777 文件包，准备安装 License准备。因为Catapu...
通过Vcenter为linux虚拟主机添加硬盘无法识别
Vmware在虚拟机添加新磁盘后-Linux系统不能识别的解决方法环境说明：服务器：vsphere，集群，使用vcenter管理操作系统：Linux 操作系统(Ububtu 20.04)现象：在通过Vcenter添加硬盘后，系统内部无法识别一、通过fdisk -l 命令找不到新硬盘二、在/dev/sdb目录也找不到对应内容解决过程：一、由于是生产环境，无法重启二、尝试按照网上说法扫描新...
Centos6.10 gnome挂死问题处理
故障现象：接用户反馈，原有VNC可正常使用，新建VNC打开后界面为黑屏。Terminal界面正常，服务任务正常。 问题复现：一般用户，原连接正常，任务正常。新创建VNC，黑屏，问题复现Root用户，新创建VNC 黑屏，问题复现因为是虚拟机，连接控制台，因为有登录是正常的。Quit出来，界面就进入了转圈圈，单无法出来gnome界面的状态。分析过程：1、分析so依存关系，所有SO...
CENTOS 7.9升级glibc起死回生术
原始需求：研发希望版本归一，所以统一把glibc 升级到2.19和把anaconda3升级到Anaconda3-2023.03-Linux-x86_64.sh版本升级过程：升级glibc过程不赘述，常规操作过程，成熟工艺：cd /opttar zxvf glibc-2.19.tar.gzcd /opt/glibc-2.19/mkdir buildcd build../glibc-2.1...
CentOS7部署开源EDA工具Qflow
关闭防火墙systemctl stop firewalldsystemctl disable firewalldsed -i -e 's/^SELINUX=.*/SELINUX=disabled/g' /etc/selinux/configsetenforce 0&nb...
使用AMS进行数模混合仿真的设置流程
1 建立AMS模板的config文件（在tb的schematic基础上）重新做config文件，模板用AMS，这样functional等自动加入到ViewList了。 2 指定Library List 把Available Libs中的几个lib放进Library List中去，结果如下：Library List不能填写myLib3 ADE中选择AMS仿真器，并且加...
Cadence Palladium 帕拉丁 Z1/2 部署实施物理环境需求
Palladium Z1Size 尺寸Width/宽 Depth/深Height/高24"38"84"61 cm97 cm214 cmWeight/重量2045 lbs / 927.5 Kg (GXL/水冷机型 3 Cluster)1725 &n...
基于IC617的gmid仿真方法
说明： 仿真环境：IC617 示例工艺库：TSMC_180nm RFCMOS 工艺 仿真方法： 原理图搭建：以 rfnmos2V 管子为例，栅宽设置为变量 L；源端直接接地，分别调用不同 vdc 作为栅、漏电压，并设置变量 vb，vdd（变量名和变量可以根据需要而自行设置）结果如下图所示： 左上角 Launch->ADE L 打开仿真环境设置 得到如下窗口： A．变量...
BCD工艺提图
采用1.2um的Analog BiCMOS工艺，两层金属互连线、一层多晶硅，即1P2M的BiCMOS，电路结构为数模混合的BiCMOS硅栅结构。P衬底P外延，N阱，集电极扩散隔离（CDI, collector-diffused-isolation）。其典型工艺剖面图如下：其图如下:图1 在Metallization and Protective Overcoat工序之前的BiCMOS典...